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底部填充與灌封
導熱墊片(5.0–12.0 W/m·K)及相變材料,將 SiC 及 GaN 晶粒的熱通量傳導至基板,在 Tj,max > 175 °C 下經功率循環驗證,維持熱阻低於 0.1 °C·cm²/W。
SiC MOSFET 工作接面溫度超過 175 °C,開關頻率使晶粒表面熱通量集中至 200 W/cm² 以上。在此水準下,決定元件能承受多大負載、存活多久的,是模組周圍的導熱介面材料與灌封材料,而非半導體本身。介面溫度每上升 10 °C,焊接點與銲線的功率循環壽命可能減半。
合通供應高效能導熱墊片、相變 TIM 與灌封材料,來自 Bergquist、Parker Chomerics 與 Henkel,針對 SiC 及 GaN 功率封裝的接面溫度、dV/dt 暫態與熱循環特性進行選型與驗證。我們支援從試片級測試到模組級功率循環的完整認證。
授權材料、周邊元件,以及將系統認證過關的工程能力。
導熱墊片(5.0–12.0 W/m·K)及相變材料,將 SiC 及 GaN 晶粒的熱通量傳導至基板,在 Tj,max > 175 °C 下經功率循環驗證,維持熱阻低於 0.1 °C·cm²/W。
矽膠凝膠、環氧底部填充與灌封膠,絕緣防止局部放電、抑制振動,並在嚴苛的 ΔTj 功率循環中保護銲線,符合 UL 94 V-0 等級。
針對您的模組功率循環特性(ΔTj、ton/toff、目標壽命)進行材料篩選,附加速老化數據,並交叉比對車規(AQG 324)與工規(IEC 62093)可靠性標準。
我們為此領域供應的代表性材料,實際組合將根據您的設計進行認證。
告訴我們您的應用與條件限制,我們將為您認證合適的材料系統。